一種在原料氧化情況下制備單一相高錳硅薄膜的工藝方法(預披露)
一種在原料氧化情況下制備單一相高錳硅薄膜的工藝方法
一、成果基本信息
成果基本信息 | 成果名稱(chēng) | 一種在原料氧化情況下制備單一相高錳硅薄膜的工藝方法 |
成果所屬單位 | 貴州大學(xué) | |
成果所屬領(lǐng)域 | 先進(jìn)制造與自動(dòng)化 | |
成果關(guān)鍵詞 | 原料氧化；磁控濺射；真空退火；高錳硅薄膜； | |
成果所屬學(xué)科 | 半導體材料 | |
交易方式 | 面議 |
二、成果簡(jiǎn)介
本發(fā)明公開(kāi)了一種在原料氧化情況下制備單一相高錳硅薄膜的工藝方法：以含有MnO的Mn靶材作為原料，在Si襯底上通過(guò)磁控濺射的方法制備薄膜，構成“Si襯底—Si薄膜—含有氧化物的Mn薄膜”三層結構樣品，進(jìn)而在真空條件下高溫退火?；谠摴に囖k法，通過(guò)控制“Si襯底—Si薄膜—含有氧化物的Mn薄膜”三層結構中的Si薄膜中間層濺射時(shí)間，可以完全消除掉本來(lái)含量占比很大的MnO，獲得單一相的高錳硅薄膜材料。
三、成果轉化預期：
可顯著(zhù)降低獲得高錳硅薄膜對原料、儲存及工藝條件的要求，使得高錳硅薄膜的制備更為簡(jiǎn)單，產(chǎn)業(yè)化生產(chǎn)成本降低，生產(chǎn)效率得到提高。
特別聲明
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項目聯(lián)系人 ：趙經(jīng)理
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